新パッケージは出力の向上、検査の簡素化、システム・コストの削減、信頼性の向上を実現

エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）( https://camgandevices.com/ )はGaNパワーICのICeGaN(TM)ファミリ向けに、熱特性の強化と検査の簡素化を実現する2種類の新パッケージを発表しました。定評のあるDFNスタイルのバリエーションで、どちらのパッケージも非常に堅牢性と信頼性が高い特長を持っています。



CGD用に開発されたDHDFN-9-1（デュアル・ヒートスプレッダDFN）はフットプリントが10x10mmと小さく、光学検査を簡素化するウェッタブル・フランク・パッケージです。熱抵抗（Rth(JC)）が低く、ボトム、トップ、デュアルサイド冷却で動作が可能なため、設計時の柔軟性が高く、トップサイドやデュアルサイド冷却構成でよく使用されるTOLTパッケージよりも性能に優れています。DHDFN-9-1パッケージは最適なPCBレイアウトとシンプルな並列接続をしやすいデュアルゲート・ピンアウトで設計されており、お客様は最大6kWのアプリケーションに容易に対応できます。

BHDFN-9-1（ボトム・ヒートスプレッダDFN）はボトムサイドの冷却パッケージであり、ウェッタブル・フランクを採用しているので検査しやすいという特長を持っています。熱抵抗は0.28K/Wで、他の主要デバイスと同等以上です。BHDFNのサイズは10x10mmで、一般的に使用されているTOLLパッケージよりも小型ながらもフットプリントが同程度のため、TOLLパッケージのGaNパワーICと共通のレイアウトが可能であり、使用や評価が容易です。

Nare Gabrielyan | プロダクト・マーケティング・マネージャー、CGD

「今回発表した新しいパッケージはより高い電力レベルでICeGaN GaNパワーICを使用できるようにするためのCGDの戦略の一環です。サーバー、データセンター、インバータ/モーター・ドライブ、マイクロ・インバータ、その他の産業用アプリケーションでは電力密度と効率に優れるGaNが普及し始めていますが、同時に要求も厳しくなっています。したがって、このようなアプリケーションでは堅牢性と信頼性、デザイン・インの容易さが不可欠です。新しいパッケージは元々このような特徴を持っているICeGaNをサポートし、拡張します」。

熱抵抗の向上にはいくつかのメリットがあります。まず、RDS(on)あたりの出力が大きいという点です。次に、電力あたりの動作温度が低いため、ヒートシンクを減らすことができ、システム・コストの削減につながる点です。動作温度が低いことは信頼性の向上と寿命の延長にも貢献します。最後に、コスト制限の厳しいアプリケーションの場合、設計者は、RDS(on)の高い低コスト部品を使用しても、必要な出力を得ることができます。

新しいパッケージは2024年6月11日から13日までドイツのニュルンベルクのNürnberg Messeで開催されるPCIM展示会のCGDブース#7 643にて初公開する予定です。

Cambridge GaN Devicesについて

Cambridge GaN Devices（CGD）はエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業です。CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはICeGaN(TM)テクノロジーが大量生産に適していることを実績によって示しており、製造パートナーシップと顧客パートナーシップを急速に拡大しています。ファブレス企業のCGDはケンブリッジ大学からスピンアウトした企業です。創業者兼CEOのGiorgia Longobardi博士とCTOのFlorin Udrea教授は同大学の世界的に有名なHigh Voltage Microelectronics and Sensors（HVMS）グループと強い結びつきを持っています。CGDのICeGaN HEMTテクノロジーはイノベーションへのコミットメントで獲得した継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は同社の独自技術が市場で受け入れられる基盤になっています。

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