スタンフォード大学らの研究チームは、薄型素材を不揮発性メモリとして利用する技術を開発した。

同技術は、現在主流となるシリコンベースのメモリと比べて、小さなスペースにより多くのデータが記録できるという。

また、使用エネルギーや書き込み速度の点でも優れていることから、新たなメモリ技術として活用されそうだ。

厚さ原子3個分の超薄型層を積み重ね

同技術では、薄い金属の層を相互にスライドさせてデータを記録する。積み重なった材料の中間層がスライドして1と0を示す。

実験では、二硫化タングステンという金属を用いて、厚さ原子3個分の超薄型層を積み重ねた。これに微量の電気を加えることで、奇数番号の層が上下の層に対してスライド。データを書き込むこに成功した。

スライドした状態は永続的に保持され、電気を再度加えて書き換えることも可能だったという。

読み取りには量子特性を利用

データの読み取りには「ベリー曲率」と呼ばれる量子特性を利用。磁場のように働き、構造に影響を与えることなく層の配置を読み取る。

層をスライドさせるエネルギーはごく少なくてすむ。また、既存の技術の100倍以上速くデータが記録できるという。

研究チームは同技術の特許を取得。今後はメモリの設計をさらに改良するほか、二硫化タングステンよりもさらに記録に適した材料を探す予定だ。

参照元：Stanford-led team shows how to store data using 2D materials instead of silicon chips/ Stanford News